陶瓷靶材的制备按图1所示的工艺流程进行，除严格控制原料的纯度、成分，成型坯料的设计尺寸之外，对材料的成型加工方法及烧结方法等都需加以严格控制。常用的成型方法有干压成型、冷等静压成型等。干压成型对大型坯体生产有困难，模具磨损大、加工复杂，坯体致密度不均，收缩不

均，容易产生开裂、分层等现象。冷等静压成型由于具有坯体密度高而且均匀，模具制作方便，成本较等优点是常用的成型方法，但由于陶瓷靶材的高纯度要求，粉体中通常入助烧剂，用此方法制备陶瓷靶材，烧结温度高(在压氧气氛下，将ITO粉体用冷等静压成型，然后在0．1～0．9MPa纯氧环境中，用1500～1600"高温烧结，可以制备表观密度达理论密度95％的ITO陶瓷靶材。在成型加工方法中预成型压力也是重要因素，靶材的预成形压力小，相应靶坯料的密度也小，这对靶材的烧结自然十分有利，靶材氧扩散好，相转变完全，靶材内部不易产生“夹芯”，但另一方面使靶材的机械强度降，易发生破裂，不利于薄膜工艺使用。

陶瓷靶材的烧结常采用常压烧结、热压烧结及气氛烧结等方法。其中热等静压烧结集热压和等静压优点于一身，粉料在热塑性状态下加压，形变阻力小，成型时间短，大地控制了晶粒长大，是制备密度陶瓷靶的主要方法，但该方法设备昂贵，生产率。(将ITO粉体放于不锈钢包套中，100MPa、800～1000X2热等静压，可制备密度达9 8％理论密度的密度陶瓷靶。而S3N4、SiC等非氧化物靶材，由于在高温下易被氧化，必须在氮及惰性气体中进行烧结。

烧结温度、升温速率、冷却速率、烧结气氛等烧结制度也是影响靶材性能的重要因素。烧结温度太高会导致靶材中一些熔点物质熔化，或过烧结，也将影响到后期的氧处理和相转变；而烧结温度过时，大体积靶材则会出现烧不透现象，进而直接影响靶材的内在质量。缓慢降温工艺制度和长时间温气氛处理能够有效地的提高YBCO高温超导靶材质量，避免靶材因相转变不而出现的烧不透以及靶体变形、靶面出现细微龟裂纹甚至出现靶体开裂现象。北京有色金属研究总院的李月南等人以20～40MPa／cm2成型压力成型，950～980"C的烧结温度烧结10～15h，5℃／min的速度缓慢降至室温，获得了性能较好的YBCO高温超导靶材。

陶瓷浆料的制备需要用到强度很硬的氧化锆珠，因在砂磨机中研磨时间很长。